双n沟道mos管9926 贴片SOP-8低压大芯片M

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深圳市骊微电子科技有限公司
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公司类型:个体经营

经营模式:生产加工

所在地:广东省 深圳市

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  • 品牌:
    其他
  • 型号:
    mos管
  • 用途:
    开关
  • 结构:
    NPN管
  • 原理:
    双极性(BJT)
  • 半导体材料:
  • 封装方式:
    陶瓷封装
  • 工艺:
    合金型三极管
  • 功耗:
    12(W)
  • 频率特性:
    120(MHz)
  • 工作电压:
    12(V)
  • 工作电流:
    2(A)
  • 电流放大倍数:
    12
  • 反向击穿电压:
    12(V)
  • 穿透电流:
    2(A)
  • 极间反向饱和电流:
    2(A)

双n沟道mos管9926 贴片SOP-8低压大芯片MOS管

9926mos管是性能很高的沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDSON和栅极电荷,9926mos管符合RoHS和绿色产品要求,并获得全面的功能可靠性认证。

9926mos管的高单元密度沟槽技术z超低栅极电荷z出色的Cdv / dt效应下降z绿色器件可用,双N沟道场效应管,VDS=20V、IDS=6A、PD=2W。

9926低压mos绝对额定值:

湾脉冲测试:脉冲宽度300μs,占空比2%,超出“绝对额定值”下列出的应力可能会对器件造成性损坏,这些仅是压力等级和功能操作不暗示设备在这些或任何其他条件下超出规范操作部分所述的条件,暴露于绝对值延长期的额定条件可能会影响设备的可靠性。

骊微电子专注于各品牌DIP直插、SMD贴片集成电路IC,电源管理,二三极管,肖特基及快恢复,可控硅,整流桥堆等电子元器件,承接厂家BOM物料清单配套服务!

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