4842mos管sop-8全新场效应管双N沟道高级功

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深圳市骊微电子科技有限公司
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公司类型:个体经营

经营模式:生产加工

所在地:广东省 深圳市

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  • 品牌：
    其他
  • 型号：
    4842mos管sop-8
  • 用途：
    开关
  • 结构：
    PNP管
  • 原理：
    双极性（BJT）
  • 半导体材料：
    硅
  • 封装方式：
    塑料封装
  • 工艺：
    平面型三极管
  • 功耗：
    12(W)
  • 频率特性：
    120(MHz)
  • 工作电压：
    12(V)
  • 工作电流：
    2(A)
  • 电流放大倍数：
    158
  • 反向击穿电压：
    360(V)
  • 穿透电流：
    2(A)
  • 极间反向饱和电流：
    2(A)

4842现货mos管sop-8全新场效应管双N沟道高级功率MOSFET

4842是一款常见的金氧半场效晶体管(MOSFET),广泛应用于各种模拟电路与数字电路中。耗散功率为2000(mW)。

4842mos管由沟槽加工技术设计而成实现极低的导通电阻。 并切换速度和改善转移有效。 这些功能结合使这个设计非常有效和适用于各种DC-DC应用的可靠设备。

4842mos管特征:

种类:绝缘栅(MOSFET)

沟道类型:N沟道

导电方式:增强型

用途:V-FET/V型槽MOS

封装外形:SMD(SO)/表面封装

材料:N-FET硅N沟道

开启电压:20(V)

夹断电压:60(V)

漏极电流:4500(mA)

耗散功率:2000(mW)

骊微电子经销的:场效应MOS管、二三极管、IC电子元器件品种齐全、价格合理,提供电源领域相关软硬件设计服务,提供方案设计、生产、客诉等一条龙技术服务,系统解决客户技术后顾之忧。

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