4803 MOSFET管双P沟道高级功率MOS晶体管
4803mos管采用的沟槽技术提供具有低栅极电荷的出色RDS(ON),具有低R DS(on)V GS = -5V,5V逻辑电平控制,双P沟道SOP8封装,超过额定值的应力可能会损坏设备,额定值仅为压力等级,长期暴露于高于推荐操作条件的应力可能影响设备可靠性。
4803mos管该设备适合用作负载开关或PWM应用,针对电源管理进行了优化便携式产品的应用,例如H桥,变频器车载充电器及其他。
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