一、产品原理及应用
古大GDAS51 射频导纳物位开关的探测极棒与金属容器罐壁之间具有电容特性,由此构成一个电桥电路,振荡电路产生的射频振荡信号加在这个电桥上。当被测介质未接触到探测极棒时,电桥处于平衡状态,没有输出信号,而当被测介质填充到探测极棒与罐壁之间时,由于被测介质的电特性与空气不同,会引起电桥电路的不平衡,从而产生输出信号。可应用于液体、固体等复杂过程条件的测量。
二、产品参数探测组件材料: PPS/不锈钢 316L 过程温度: -50~150°C
过程压力: -1.0~64bar
信号输出: 一个单刀双掷继电器,
接点容量 250V/5A
过程连接: G?A
长度: 0.4~3m; 0.3~10m
供电方式: 24V DC±10% 220V DC±10%
三、 GDAS51系列射频导纳物位开关选型表GDAS51 | 选型代码 | 说 明 |
仪表种类 | A | 高精度、高稳定性 |
B | 高稳定性 | |
C | 中等普通工业用 | |
D | 一般工业用 | |
供电电压 | A | 24V |
B | 220V | |
电缆进线 | M | M201.5 |
N | ?NPT | |
T1 | 特殊要求 | |
现场显示 | A | 带 |
X | 不带 | |
T2 | 特殊要求 | |
带散热片/过程温度 | A | 带/-40 C....+150 °C |
X | 不带/-40 C....+80 °C | |
T3 | 特殊要求 | |
长度(mm) | A | 四位数字 |
T4 | 特殊要求 |
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