苏州创芯奇半导体有限公司
IGBT 的开关特 性是指漏极电 流与漏 源电压之间的关系。IG T 处于导通态 ,由于它的PNP 晶 体管为宽基区晶体管,所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流 过MOSFET 的电流 成为IGBT 总电流的主要部分。此时,通态电压Uds(on) 可用下式表示::
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh
式中Uj1 JI 结的正向电压,其值为0.7 ~1V ;Udr 扩展电阻Rdr 上的压降;Roh 沟道电阻。
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