苏州创芯奇半导体有限公司
欢迎您关注
当在栅极施加一个负偏 压或栅压低于门限值时,沟道被禁止,没有空穴注入N-区内。在任何情况下,如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降,集电极电流则逐渐降低,这 是因为换向开始后 ,在N层内还 存在少数的载流子(少子)。这种残余电流值(尾流)的降低,完全取决于关断时电荷的密度,而密度又与几种因素有关,如掺杂质的数量和拓扑,层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形,集电极电流引起以下问题:功耗升高;交叉导通问题,特别是在使用续流二极管的设备上,问题更加明显。
企业主要销售品牌
包括:英飞凌、欧派克、日本三社、IXYS艾赛斯、西门康、富
士、三菱、仙童、新电源、东芝、IR、摩托罗拉、西门子、英达、三
肯、三洋、APT、ST ABB、西码、CDE等国外知名公司生产的IGBT
可控硅、晶闸管、GTR、IMP、PIM、快恢复二极管、整流桥、电解电容、
驱动电路、MOSFET 日本TOCOS电位器、美国BOURNS电位器、
日本光洋旋转编码器等 。
本公司坚持以‘诚信为本、质量首位、价格合理’的经营理念
期待与贵公司的合作,一步一个脚印,做大做强,再创辉煌!
(产品保证全新原装,如若发现有误 三天内可退换)
T507124034AQ
T507124044AQ
T507124054AQ
T507124064AQ
T507124074AQ
T5071240B4AQ
T507127034AQ
T507127044AQ
T507127054AQ
T507127064AQ
T507127074AQ
T5071270B4AQ
T507128034AQ
T507128044AQ
T507128054AQ
T507128064AQ
T507128074AQ
T5071280B4AQ
T507144034AQ
T507144044AQ
T507144054AQ
T507144064AQ
T507144074AQ
T507144084AQ
T5071440B4AQ
T507147034AQ
T507147044AQ
T507147054AQ
T507147064AQ
T5071470B4AQ
T600021504BT
T600021804BT
T600041504BT
T600041804BT
T600061504BT
T600061804BT
T600081504BT
T600081804BT
T600101504BT
T600101804BT
T600121504BT
T600121804BT
T600141504BT
T600141804BT
T600161504BT
T600161804BT
T620022004DN
T620023004DN
T620042004DN
T620043004DN
T620062004DN
T620063004DN
T620082004DN
T620083004DN
T620102004DN
T620103004DN
T620122004DN
T620123004DN
T620142004DN
T620143004DN
T620162004DN
T620163004DN
T625063004DN
T625064004DN
T625073004DN
T625074004DN
T625083004DN
T625084004DN
T625093004DN
T625094004DN
T625103004DN
T625104004DN
T625113004DN
T625114004DN
T625123004DN
T625124004DN
T700022504BY
T700023004BY
T700023504BY
T700042504BY
T700043004BY
T700043504BY
T700062504BY
T700063004BY
T700063504BY
T700082504BY
T700083004BY
T700083504BY
T700102504BY
T700103004BY
T700103504BY
T700122504BY
T700123004BY
T700123504BY
免责声明：以上文字及图片信息由苏州创芯奇半导体有限公司自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责，行业信息网对此不承担任何责任。行业信息网不涉及用户间因交易而产生的法律关系及法律纠纷，纠纷由您自行协商解决。
友情提醒：本网站仅作为用户寻找交易对象，就货物和服务的交易进行协商，以及获取各类与贸易相关的服务信息的平台。为避免产生购买风险，建议您在购买相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。
