BSM150GB60DLC
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BSM150GB60DLC中文资料
功能描述:IGBT 模块 600V 150A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极发射极电压 VCEO:600 V 集电极射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM
序号电子元器件名称功能描述生产厂家&企业LOGO操作
1BSM150GB60DLCIGBT-ModulesEUPEC
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: N
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极发射极电压 VCEO: 600 V
集电极射极饱和电压: 1.95 V
在25 C的连续集电极电流: 180 A
栅极射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 730 W
封装 / 箱体: 32 mm
小工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 30.5 mm
长度: 94 mm
宽度: 34 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS代码: 8541290095
栅极/发射极电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
TARIC: 8541290000
零件号别名: BSM150GB60DLCHOSA1 SP000100476
单位重量: 180 g
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