F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集电极发射极电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
封装 / 箱体: Econo 2
小工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集电极发射极电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
封装 / 箱体: Econo 2
小工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集电极发射极电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
封装 / 箱体: Econo 2
小工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
F4-75R12KS4
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集电极发射极电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
封装 / 箱体: Econo 2
小工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: F475R12KS4
免责声明:以上文字及图片信息由深圳市明烽威电子有限公司自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责,行业信息网对此不承担任何责任。行业信息网不涉及用户间因交易而产生的法律关系及法律纠纷,纠纷由您自行协商解决。
友情提醒:本网站仅作为用户寻找交易对象,就货物和服务的交易进行协商,以及获取各类与贸易相关的服务信息的平台。为避免产生购买风险,建议您在购买相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。