描述
M5573是一款优化的高性能高集成的用于反激式变换器的电流模式PWM控制芯片,具备低待机功耗和低成本的优点。正常工作下,PWM开关频率处于合理的范围内。在空载或轻载条件下,IC就会工作在“跳周期模式”来减少开关损耗,从而实现低待机功耗和高转换效率的实现。
M5573频率抖动能实现优良的EMI性能。
M5573在工作中消除了低于20kHz音频噪声的消除。
M5573采用SOT23-6封装。
特征
l软启动功能,减少应力功率MOSFETVDS
l降低EMI频率抖动功能
l跳周期模式控制的改进,提高效率降低待机功耗
l小功率的备用电源设计
l消除音频噪声
l输入欠压保护,固定的65KHz开关频率
l综合保护性能
ü带迟滞功能的VDD 欠压保护
ü逐周的过流阈值设置,在全电压范围内恒定输出功率
ü过载保护(OLP)与自动恢复
ü自动恢复的过温保护(OTP)
ü自动恢复的VDD 过压保护(OVP)
ü可通过外部齐纳二极管过压保护可调节的OVP
应用领域
适用于AC/DC反激式变换器
l手机充电器, 上网本充电器
l笔记本适配器
l机顶盒电源
l各种开放式开关电源
引脚功能描述
管 脚 | I/O | 描 述 |
GND | P | 地 |
COMP | I | 反馈输入引脚。PWM的占空比决定于COMP引脚电压和SEN引脚电流检测信号 |
OTP | I | 多功能引脚。通过连接一个热敏电阻接地实现过温OTP控制功能,也可通过齐纳管接到VDD调节过压保护 |
SEN | I | 电流检测输入 |
VDD | P | 电源 |
DRV | O | 输出DRV驱动功率MOSFET。 |
绝对值范围
项目 | 值 | 单位 | |
小值 | 值 | ||
VDD直流供电电压 | 30 | V | |
VDD 齐纳嵌位电压 | 10 | V | |
VDD 直流嵌位电流 | VDD_Clamp+0.1 | mA | |
COMP输入电压 | -0.3 | 7 | V |
SEN输入电压 | -0.3 | 7 | V |
OTP输入电压 | -0.3 | 7 | V |
小/工作结温 | -20 | 150 | ℃ |
小/贮存温度 | -55 | 165 | ℃ |
温度(焊接,10秒) | 260 | ℃ |
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