| 样品名称 | 进口二硒化钨wse2晶体 |
| 性质 | 半导体材料 (p型) |
| 带隙 | 单层带隙1.66 ev |
| 参数 | 纯度:>99.995% 尺寸:~10 mm 颜色:黑色 |
| 应用 | 半导体电子器件,光学器件等研究 |
| 其他信息 | 详情请发邮件至:salemukenano.com mknano126.com |
单晶2h-wse2 (tungsten diselenide) 是利用我们实验室专利技术生长。 我们生长的每块单晶耗时3个月左右以保证我们为您提供完美晶格的单晶。 每块单晶都是有很好
的结晶性,层状结构以保证易于剥离。 单晶wse2 (molybdenum disulfide) 块体的带
隙是1.2 ev,单层的wse2 带隙是1.8 ev。单层wse2具有具有很好的电学性质,机械
性质和光学性质。
我们实验室有着进5年的单晶生长经验,每块晶体都有很好的可重复性。单晶
wse2块体的尺寸可以达到10mm级别,纯度可以达到99.9995% 甚至更高的纯度。
单晶wse2 可以达到100% 2h相,没有其他的杂相,没有其他的非晶相。我们的
wse2 单晶具有很大的晶畴,可以得到很大的单层。
另外我们还提供免费的机械剥离和转移技术。
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