CR6863P/CR6863PT特点:
较低的启动电流 (大约3μA)
内置软启动减少MOSFET应力
CCM+PFM控制模式
内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
内建频率抖动功能,降低EMI
内置65kHz开关频率
轻载降低工作频率
VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽。
VDD过压保护功能
内置前沿消隐电路
内置过温保护
SOT23-6L/DIP-8L封装
CR6863P/CR6863PT应用:
AC/DC适配器 恒定功率应用 充电器
概述:
CR6863P/PT是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863P/PT轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863P/PT提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6863P/PT还提供VDD电压从8.5-36.5V更宽的工作范围。CR6863P/PT提供SOT23-6L/DIP-8L封装。
CR6863P/PT是一款高集成度、低待机功耗的电流模式PWM控制器。CR6863P/PT轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声,系统采用CCM+PFM混合控制模式以减小系统损耗,达到绿色节能的目的。IC集成了丰富的保护功能, 简化了电路系统应用设计。
前沿消隐 (LEB):
开关管的每次开启不可避免带来开关毛刺,它通过RCS采样后,对内部逻辑电路带来干扰,引起内部寄存器的误动作,为了消除开关毛刺的影响,CR6863P中设计了300ns的前沿消隐电路,它可以代替传统的外接RC滤波电路,简化外围设计。
功率输出:
CR6863P采用特殊的驱动输出,采用软驱动模式,降低功率MOSFET开关噪声。
保护功能:
CR6863P提供了丰富的保护功能,比如逐电流限制、UVLO、OTP、VDD_OVP等、当芯片检测到触发 OTP和VDD_OVP保护并关断GATE,直到VDD降到UVLO_ON 以下系统才能重新启动。
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